刘强4.器件在100循环测试条件下的开关耐久性。

东壕东8.器件在无光照情况下SET过程示意图。气京6.器件在不同存放时间的稳定性。

相应工作发表在JournalofMaterialsChemistryC（DOI:10.1039/c9tc06230k）上，工宿光第一作者为天津大学精密仪器与光电子工程学院陈治良博士。舍曝【图文导读】图1.器件材料和结构的表征1.合成的PbS量子点的XRD图谱。刘强6-8.器件的电流电压特性在不同波长光照下的特性。

东壕东图2.器件阻变性能1.器件典型的伏安特性曲线。气京9.SET电压与光照强度的关系。

工宿光文章连接：ZhiliangChen,YuYu,LufanJin,YifanLi, QingyanLi,TengtengLi,JieLi,HongliangZhao,YatingZhang,HaitaoDai,JianquanYao.Broadbandphotoelectrictunablequantumdotbasedresistiverandomaccessmemory.DOI:10.1039/c9tc06230khttps://doi.org/10.1039/C9TC06230K。

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